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Si4966DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
30
20
10
V GS = 5 V thru 3 V
2.5 V
2V
40
30
20
10
T C = 125 °C
25 °C
0
1 V, 1.5 V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.10
0.08
0.06
0.04
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
4000
3200
2400
1600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
V GS = 2.5 V
C oss
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
800
0
C rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 7.1 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 7.1 A
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70718
S09-0869-Rev. D, 18-May-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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